Samsung Kembangkan Memori DDR5 Berbasis HKMG Pertama di Dunia Industri

Jakarta, Itech- Samsung Electronics, pemimpin dunia dengan teknologi memori canggihnya. Kemarin Samsung telah mengumumkan bahwa perusahaan memperluas portofolio memori DDR5 DRAM. Dilengkapi dengan modul DDR5 512 GB pertama di industri berdasarkan teknologi proses High-K Metal Gate (HKMG). Menghadirkan lebih dari dua kali lipat kinerja DDR4 hingga 7.200 megabite per detik (Mbps). DDR5 baru akan mampu mengatur beban kerja bandwidth tinggi yang haus komputasi paling ekstrem dalam super komputer, artificial intelligence (AI), dan machine learning (ML), serta aplikasi analisis data.
“Samsung adalah satu-satunya perusahaan semikonduktor dengan logika dan kemampuan memori serta keahlian untuk menggabungkan teknologi logika mutakhir HKMG ke dalam pengembangan produk memori,” kata Young-Soo Sohn, Wakil Presiden DRAM Memory Planning / Enabling Group di Samsung Electronics.

“Dengan menghadirkan jenis inovasi proses ini ke manufaktur DRAM, kami dapat menawarkan solusi memori berkinerja tinggi, namun hemat energi kepada pelanggan kami untuk memberi daya pada komputer yang dibutuhkan untuk penelitian medis, pasar keuangan, mengemudi otonom, kota pintar, dan lainnya. Karena jumlah data yang akan dipindahkan, disimpan, dan diproses meningkat secara eksponensial, transisi ke DDR5 berada pada titik infleksi kritis untuk pusat data cloud, jaringan, dan penerapan edge,” kata Carolyn Duran, Vice President dan GM of Memory and IO Technology di Intel.

“Tim teknik Intel bermitra erat dengan para pemimpin memori seperti Samsung untuk menghadirkan memori DDR5 yang cepat dan hemat daya yang dioptimalkan untuk kinerja dan kompatibel dengan prosesor Intel Xeon Scalable kami yang akan datang, dengan nama kode Sapphire Rapids,”lanjutnya.

DDR5 Samsung akan memanfaatkan teknologi HKMG yang sangat canggih yang secara tradisional digunakan dalam semikonduktor logika. Dengan pengurangan struktur DRAM yang berkelanjutan, lapisan insulasi telah menipis, yang menyebabkan arus bocor yang lebih tinggi.

Maka dari itu, dengan mengganti insulator dengan bahan HKMG, DDR5 Samsung akan dapat mengurangi kebocoran dan mencapai performa yang lebih tinggi. Memori baru ini juga akan menggunakan daya sekitar 13% lebih sedikit, membuatnya sangat cocok untuk pusat data di mana efisiensi energi menjadi semakin kritis.

Proses HKMG diadopsi dalam memori GDDR6 Samsung pada tahun 2018 untuk pertama kalinya di dunia industri. Dengan memperluas penggunaannya di DDR5, Samsung semakin memperkuat kepemimpinan nya dalam teknologi DRAM generasi berikutnya.

Memanfaatkan teknologi through-silicon via (TSV), DDR5 Samsung menyusun delapan lapisan chip DRAM 16 GB untuk menawarkan kapasitas terbesar 512GB. TSV pertama kali digunakan di DRAM pada tahun 2014 ketika Samsung memperkenalkan modul server dengan kapasitas hingga 256GB.

Samsung saat ini sedang mengambil sampel variasi yang berbeda dari keluarga produk memori DDR5 kepada pelanggan untuk verifikasi dan, pada akhirnya, sertifikasi dengan produk terdepan mereka untuk mempercepat AI / ML, komputasi exascale, analitik, jaringan, dan beban kerja intensif data lainnya. (DAF/rilis)